Модуль оперативной памяти DDR4 ECC SO-DIMM 4GB 2133MT/s Sorting Wide Temperature (M4DR-4GSSP50G-E)

Модуль оперативной памяти DDR4 ECC SO-DIMM 4GB 2133MT/s Sorting Wide Temperature (M4DR-4GSSP50G-E)
Производитель: InnoDisk® Corp. (Тайвань)
Модель: 2818-03
Артикул: M4DR-4GSSP50G-E
Наличие: Предзаказ
Кол-во:     - или -   В закладки
В сравнение
Промышленный модуль оперативной памяти DDR4 ECC SO-DIMM 4GB 2133MT/s Sorting Wide Temperature
  • JEDEC standard 1.2V(1.26V~1.14V) Power Supply
  • JEDEC Standard 260-pin Dual In-Line Memory Module
  • 8 bit pre-fetch
  • On Die Termination with ODT pin
  • Bi-directional Differential Data Strobe
  • Average Refresh Period 7.8us at lower then TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE ≤ 95°C
  • Gold Finger 30μ"
  • RoHS Compliant
  • Память
    Тип DDR4
    Объем 4GB
    Стандарт ECC SO-DIMM
    Частота 2133MT/s
    Function Non-ECC Unbuffer Memory
    Series Wide Temperature
    Data Rate 2133 MT/s, 2400 MT/s
    Pin Number 260pin
    Width 64Bits
    Питание
    Voltage 1.2V
    Конструктив
    Назначение Sorting Wide Temperature
    Module Type DDR4 SODIMM
    IC Organization 512Mx8
    IC Brand Samsung
    Ряд 1
    Сторон 2
    PCB Height 1.18 Inches
    Operation Temperature -40°C ~ +85°C
    Capacity 4GB, 8GB, 16GB
    Примечание Standard

    Написать отзыв

    Ваше имя:


    Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

    Оценка: Плохо           Хорошо

    Введите код, указанный на картинке:



    Описание

    Промышленный модуль оперативной памяти DDR4 ECC SO-DIMM 4GB 2133MT/s Sorting Wide Temperature
  • JEDEC standard 1.2V(1.26V~1.14V) Power Supply
  • JEDEC Standard 260-pin Dual In-Line Memory Module
  • 8 bit pre-fetch
  • On Die Termination with ODT pin
  • Bi-directional Differential Data Strobe
  • Average Refresh Period 7.8us at lower then TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE ≤ 95°C
  • Gold Finger 30μ"
  • RoHS Compliant
  • Характеристики

    Память
    Тип DDR4
    Объем 4GB
    Стандарт ECC SO-DIMM
    Частота 2133MT/s
    Function Non-ECC Unbuffer Memory
    Series Wide Temperature
    Data Rate 2133 MT/s, 2400 MT/s
    Pin Number 260pin
    Width 64Bits
    Питание
    Voltage 1.2V
    Конструктив
    Назначение Sorting Wide Temperature
    Module Type DDR4 SODIMM
    IC Organization 512Mx8
    IC Brand Samsung
    Ряд 1
    Сторон 2
    PCB Height 1.18 Inches
    Operation Temperature -40°C ~ +85°C
    Capacity 4GB, 8GB, 16GB
    Примечание Standard

    Написать отзыв

    Ваше имя:


    Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

    Оценка: Плохо           Хорошо

    Введите код, указанный на картинке:




    Innodisk в Украине © 2024
    All Rights Reserved HOLIT Data Systems Ltd. - Design by HOLIT