Главная » Модули оперативной памяти » Embedded

Модуль оперативной памяти DDR3 U-DIMM VLP 8GB 1600MT/s Low-Profile (M3U0-8GSSGCPC)

Модуль оперативной памяти DDR3 U-DIMM VLP 8GB 1600MT/s Low-Profile (M3U0-8GSSGCPC)
Производитель: InnoDisk® Corp. (Тайвань)
Модель: 2604-03
Артикул: M3U0-8GSSGCPC
Наличие: Предзаказ
Кол-во:     - или -   В закладки
В сравнение
Промышленный модуль оперативной памяти DDR3 U-DIMM VLP 8GB 1600MT/s Low-Profile
  • JEDEC standard 1.35V(1.28V~1.45V) & 1.5V(1.425V~1.575V) Power Supply
  • JEDEC Standard 240-pin Dual In-Line Memory Module
  • 8 bit pre-fetch
  • On Die Termination with ODT pin
  • Bi-directional Differential Data Strobe
  • Average Refresh Period 7.8us at lower then TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE ≤ 95°C
  • Low profile of PCB
  • Gold Finger 3μ"
  • RoHS Compliant
    • Память
    Тип DDR3
    Объем 8GB
    Стандарт U-DIMM VLP
    Частота 1600MT/s
    Function Non-ECC Unbuffer Memory
    Series Very Low-Profile (VLP)
    Data Rate 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s
    Pin Number 240pin
    Width 64Bits
    Питание
    Voltage 1.5V/1.35V
    Конструктив
    Назначение Low-Profile
    Module Type DDR3 LONG DIMM
    IC Organization 512Mx8
    IC Brand Samsung
    Ряд 2
    Сторон 2
    PCB Height 0.738 Inch
    Operation Temperature 0°C ~ +85°C
    Capacity 1GB, 2GB, 4GB, 8GB
    Примечание Non fixed die

    Написать отзыв

    Ваше имя:


    Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

    Оценка: Плохо           Хорошо

    Введите код, указанный на картинке:



    Продолжить

    Описание

    Промышленный модуль оперативной памяти DDR3 U-DIMM VLP 8GB 1600MT/s Low-Profile
  • JEDEC standard 1.35V(1.28V~1.45V) & 1.5V(1.425V~1.575V) Power Supply
  • JEDEC Standard 240-pin Dual In-Line Memory Module
  • 8 bit pre-fetch
  • On Die Termination with ODT pin
  • Bi-directional Differential Data Strobe
  • Average Refresh Period 7.8us at lower then TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE ≤ 95°C
  • Low profile of PCB
  • Gold Finger 3μ"
  • RoHS Compliant

    • Характеристики

    Память
    Тип DDR3
    Объем 8GB
    Стандарт U-DIMM VLP
    Частота 1600MT/s
    Function Non-ECC Unbuffer Memory
    Series Very Low-Profile (VLP)
    Data Rate 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s
    Pin Number 240pin
    Width 64Bits
    Питание
    Voltage 1.5V/1.35V
    Конструктив
    Назначение Low-Profile
    Module Type DDR3 LONG DIMM
    IC Organization 512Mx8
    IC Brand Samsung
    Ряд 2
    Сторон 2
    PCB Height 0.738 Inch
    Operation Temperature 0°C ~ +85°C
    Capacity 1GB, 2GB, 4GB, 8GB
    Примечание Non fixed die

    Написать отзыв

    Ваше имя:


    Ваш отзыв: Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

    Оценка: Плохо           Хорошо

    Введите код, указанный на картинке:



    Продолжить
    Метки: Модули оперативной памяти, Low-Profile, DDR3, U-DIMM VLP, 8GB, 1600MT/s, Samsung

    Вы смотрели
    Innodisk в Украине © 2025
    All Rights Reserved HOLIT Data Systems Ltd. - Design by HOLIT